OCZ ist seit geraumer Zeit dabei im Enterprise Markt Fuss zu fassen. Das Entry-Level-Segment deckt der Hersteller dabei mit der Deneva 2 Serie ab, wobei diese in mehrere unterschiedliche Modelle unterteil ist, die sich hauptsächlich hinsichtlich dem verwendeten NAND Flash Speicherchips unterscheiden. Heute nehmen wir uns dem 200 Gigabyte Modell mit eMLC Speicher an, das neben einer hohen Lebensdauer auch einen attraktiven Preis bieten soll. Möchte man beispielsweise eine Storage Appliance, bei derjenigen man auf Performance angewiesen ist, kosteneffizient mit Flash Speicher auf die Sprünge helfen, dann es es sicherlich nicht verkehrt, wenn man dieses Drive unter die Lupe nimmt.


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Die OCZ Deneva 2 SSD Serie umfasst einige unterschiedliche Modelle. In diesem Artikel nehmen wir uns der Deneva 2 R eMLC mit 200 Gigabyte Speicherkapazität an, wobei wir auf Spezifikationen, Ausdauer sowie Performance eingehen.

Das Herzstück dieser SSD ist ein LSI SandForce SF-2582 Controller und darüber hinaus gibt es das Laufwerk wahlweise mit 100 Gigabyte, 200 Gigabyte oder 400 Gigabyte nutzbarem Speicherplatz. Im Falle des hier vorliegenden 200 Gigabyte Drives reserviert OCZ 56 Gigabyte, sprich knapp 22 Prozent des NAND Flash für Overprovisioning. Den Vorteil von Overprpovisioning kann man sehr einfach an einem Beispiel erklären. Wahrscheinlich kennt jedermann das Puzzel bei dem durchnummeriert die Zahlen 1 bis 15 vorkommen und der Stein 16 fehlt, damit man die Zahlen letztlich in einer korrekten Reihenfolge anbringen kann. Dadurch, dass man genau einen Stein verschieben kann, ist es mitunter eine Herausforderung möglichst schnell eine bestimmte Ordnung herzustellen. Gäbe es nun aber wesentlich mehr freie Plätze, dann würde sich das Puzzle deutlich vereinfachen. Vereinfach heisst in diesem Sinne, dass weniger Steine verschoben werden müssten, um ans Ziel zu gelangen. Übersetzt auf eine SSD heisst das, dass Overprovisioning dabei hilft die Performance eine Laufwerks konstant hoch zu halten und darüber hinaus wird auch noch der Write-Amplification-Factor minimiert, da weniger Daten verschoben werden müssen, bis letztlich ein neuer Block geschrieben werden kann.

Ein weiteres Schlüsselmerkmal dieser SSD stellt der verwendete NAND Flash Speicher dar. Dabei handelt es sich nicht um gewöhnliches MLC NAND sondern um eMLC, das einen deutlich höheren P/E-Cycle-Count aufweist. Das "e" vor MLC steht dabei für Enterprise und soll verdeutlichen, dass diese Speicherbausteine eine deutlich höhere Lebensdauer aufweisen. Besonders gut ersichtlich wird dies, wenn man die P/E-Zyklen als Beispiel heran zieht. "Consumer Grade" MLC NAND bietet derzeit zwischen 3'000 und maximal 5'000 P/E-Zyklen, wohingegen eMLC NAND mit 20'000 bis 30'000 P/E-Zyklen aufwarten kann. Vor allem in schreibintensiven Umgebungen ist dies ein massiver Vorteil und hat zur Folge, dass wesentlich mehr Daten auf die Drives geschrieben werden können. Letztlich liegt auch die Angabe für Write Endurance in einem für eMLC Drive typischen Rahmen. Beim 100 Gigabyte Deneva 2 R Laufwerk sind es 19 PBW, beim 200 Gigabyte Drive sind es 38 PBW und beim 400 Gigabyte Datenträger sind es 76 PBW. Die Verdopplung der PBW-Werte hängt damit zusammen, dass schlicht und ergreifend doppelt so viele Speicherzellen zur Verfügung stehen oder in anderen Worten absolut, doppelt soviele P/E-Zyklen.

Usable Capacities	100GB - 400GB
NAND Components	Synchronous-Mode Enterprise Multi-Level Cell eMLC
Interface	Serial ATA 6Gbps
Form Factor	2.5 inch
NAND Controller	SandForce 2582
Weight	83g
	100GB	200GB	400GB
Max Read	up to 550 MB/s	up to 550 MB/s	up to 530 MB/s
Max Write	up to 520 MB/s	up to 530 MB/s	up to 510 MB/s
Random Read IOPS 4K	up to 26'000	up to 57'000	up to 59'000
Random Write IOPS 4K	up to 84'000	up to 81'000	up to 49'000
Write Endurance	up to 19 PB	up to 38 PB	up to 76 PB
Overprovisioning	28 GB	56 GB	112 GB
Power Consumption	Idle: 1.3 Watt	Active: 2.85 Watt
Operating Temp	0°C - 55°C
Storage Temp	-45°C - 85°C
Certifications	RoHS, CE, FCC, KCC, C-Tick, BSMI VCCI
MTBF	2 Million hours
Power Fail Protection	Data Write Assurance Technology (capacitance power back-up to ensure data hardening)
Data Fail Recovery	Recovers data from up to one NAND flash block
Data Path Protection	ECC: Up to 55 bits correctable per 512-byte sector
Data Reliability	Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-17
Data Encryption	128 bit AES compliant
Product Health Monitoring	Self-Monitoring, SMART with enterprise attributes
Service Support	3 Year Warranty, Dedicated FAE/FSE support (includes PM/engineer support through validation cycle)

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Seite 1 - Einleitung

Seite 2 - 1 Thread Throughput

Seite 3 - 1 Thread IOPS

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Seite 5 - 32 Thread IOPS

Seite 6 - Fazit