Einer aktuellen Mitteilung von Samsung zufolge hat der Hersteller vor kurzem seine V-NAND-Speicherchips in der fünften Generation veröffentlicht. Diese bestehen aus inzwischen 96 Schichten und bieten pro Chip eine Speicherdichte von 256Gb.


Die Kommunikation zwischen RAM und ROM findet über Samsungs sogenanntes Toggle DDR 4.0-Interface statt und erlaubt Übertragungsraten von bis zu 1.4Gbps. Im Vergleich zur vierten Generation Samsung V-NAND (mit 64 Schichten) soll dies 40% mehr Performance ermöglichen. Außerdem wurden die Schreibgeschwindigkeit erhöht als auch die Reaktionszeit zu Leseaufträgen verringert. Der wichtigste Fortschritt sei jedoch beim Stromverbrauch erzielt worden, der nun von 1.8V (64 Schichten) weiter auf 1.2V (96 Schichten) gesunken sei.

Wie mit sämtlichen V-NAND-Generationen konzentriert Samsung sämtliche Anstrengungen darauf, den Speicher so schnell wie möglich auf den Markt zu bringen. Falls sämtliche Prozesse wie in den vergangenen Jahren ablaufen, erwarten wir marktreife Produkte mit 96-schichtigem V-NAND irgendwann im 3. Quartal 2018.




Quelle: tomshardware