Da qualche periodo OCZ si è affacciata sul mercato Enterprise, ma anche nel settore entry-level sta lanciando una nuova serie di prodotti chiamata Deneva 2. Le differenze principali riguardano la tipologia di memoria flash adottata; oggi analizzeremo il modello da 200 Gigabyte Deneva R eMLC. Questo dispositivo è caratterizzato dall'elevata resistenza, qualità e performance; inoltre risulta particolarmente interessante nel caso stiate cercando una soluzione conveniente.



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La serie Deneva 2 di OCZ comprende due modelli e nella recensione di oggi analizzeremo il modello da 200GB Deneva 2 R eMLC. Nelle pagine seguenti analizzeremo le specifiche e testeremo il prodotto.

All'interno di tutti i modelli SSD troviamo il controller SF-2582 di LSI SandForce, nel nostro modello da 200GB circa 56GB sono utilizzati per l'overprovisioning, ossia circa il 22% di tutta l'unità. Potrebbe sembrare molto ma si tratta pur sempre di un disco enterprise. Facciamo un pratico esempio, facciam finta di avere 15 sassi numerati da 1 a 15 e che la 16esima pietra non esista. Questi 16 sassi sono disposti in una matrice di 4 x 4 e il nostro obiettivo è quello di disporli in maniera ordinata; avendo a disposizione solo un posto libero sono necessarie parecchie mosse, invece con 4 slot a disposizione l'operazione sarebbe molto più semplice. Tornando al nostro sample, negli SSD l'overprovisioning aiuta a mantenere elevate le prestazioni.

Un'altra caratteristica fondamentale di questa particolare unità viene fornita con la NAND flash che viene utilizzata. In questo caso non è standard consumer MLC NAND, ma OCZ equipaggia il Deneva 2 R con la memoria EMLC che offre un ciclo P/E molto più alto. La "e" di fronte MLC è sinonimo di "enterprise", quindi non solo prestazioni ma anche resistenza. Il confronto tra il ciclo P/E MLC e eMLC è spettacolare, il MLC dispone tra 3'000 e 5'000 cicli e eMLC offre 20'000 a 30'000 cicli P/E . Nel caso peggiore è quattro volte migliore ma può essere superiore anche di 10 lunghezze. In altre parole è nato per affrontare carichi di lavoro intensi, come in ambiente server. OCZ non fornisce il conteggio dei cicli P/E delle celle flash NAND direttamente, ma forniscono una quantità massima di dati scritti. Nel caso del drive da 100 Gigabyte è 19 PBW, con quello da 200 è 38 PBW e con il modello 400 Gigabyte si ottiene 76 PBW. Il valore raddoppia in funzione della quantità di memoria presente e dal numero di celle NAND disponibili.

Usable Capacities	100GB - 400GB
NAND Components	Synchronous-Mode Enterprise Multi-Level Cell eMLC
Interface	Serial ATA 6Gbps
Form Factor	2.5 inch
NAND Controller	SandForce 2582
Weight	83g
	100GB	200GB	400GB
Max Read	up to 550 MB/s	up to 550 MB/s	up to 530 MB/s
Max Write	up to 520 MB/s	up to 530 MB/s	up to 510 MB/s
Random Read IOPS 4K	up to 26'000	up to 57'000	up to 59'000
Random Write IOPS 4K	up to 84'000	up to 81'000	up to 49'000
Write Endurance	up to 19 PB	up to 38 PB	up to 76 PB
Overprovisioning	28 GB	56 GB	112 GB
Power Consumption	Idle: 1.3 Watt	Active: 2.85 Watt
Operating Temp	0°C - 55°C
Storage Temp	-45°C - 85°C
Certifications	RoHS, CE, FCC, KCC, C-Tick, BSMI VCCI
MTBF	2 Million hours
Power Fail Protection	Data Write Assurance Technology (capacitance power back-up to ensure data hardening)
Data Fail Recovery	Recovers data from up to one NAND flash block
Data Path Protection	ECC: Up to 55 bits correctable per 512-byte sector
Data Reliability	Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-17
Data Encryption	128 bit AES compliant
Product Health Monitoring	Self-Monitoring, SMART with enterprise attributes
Service Support	3 Year Warranty, Dedicated FAE/FSE support (includes PM/engineer support through validation cycle)

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Pagina 1 - Introduzione

Pagina 2 - 1 Thread Throughput

Pagina 3 - 1 Thread IOPS

Pagina 4 - 32 Thread Throughput

Pagina 5 - 32 Thread IOPS

Pagina 6 - Conclusioni