Il nuovo 845DC PRO di Samsung introduce anche la versione EVO. Questa unità utilizza NAND TLC ed è specificatamente studiato per quei sistemi che richiedono un grosso lavoro di lettura. Siamo molto curiosi di analizzare a fondo anche questa unità.



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Specifiche / Bundle

Modello	845DC EVO 240 GB	845DC EVO 400 GB	845DC EVO 960 GB
Capacità	240 GB	400 GB	960 GB
Form Factor	2.5''	2.5''	2.5''
Controller	Samsung 3-core MDX		Samsung 3-core MDX
Memoria	MLC NAND 3D V-NAND 2bit		MLC NAND 3D V-NAND 2bit
Throughput	530 MB/s sequential read 270 MB/s sequential write 87'000 IOPS 4K random read 12 '000 IOPS 4K random write	530 MB/s sequential read 410 MB/s sequential write 87'000 IOPS 4K random read 14 '000 IOPS 4K random write	530 MB/s sequential read 410 MB/s sequential write 87'000 IOPS 4K random read 14 '000 IOPS 4K random write
QOS 4KB, QD32 (99.99%)	0.6 ms read 7.0 ms write		0.6 ms read 5.0 ms write
Latency	55 us sequential read 45 us sequential write 115 us random read 55 us random write	55 us sequential read 45 us sequential write 115 us random read 55 us random write	55 us sequential read 45 us sequential write 115 us random read 55 us random write
Consumo	2.7 Watt read 3.8 Watt write 1.2 Watt idle	2.7 Watt read 3.8 Watt write 1.2 Watt idle	2.7 Watt read 3.8 Watt write 1.2 Watt idle
Temperatura	Operating: 0°C bis 60°C Non-Operating: -40°C bis 85°C	Operating: 0°C bis 60°C Non-Operating: -40°C bis 85°C	Operating: 0°C bis 60°C Non-Operating: -40°C bis 85°C
Durata	150 TBW	300 TBW	600 TBW
Garanzia	5 Anni	5 Anni	5 Anni
Prezzo	249.99 US-Dollar	489.99 US-Dollar	969.99 US-Dollar

Non molto tempo fa, Samsung ha annunciato tre nuove serie di SSD. L'azienda ha pensato alle esigenze di ogni singolo utente proponendo così la serie 850 PRO per gli utenti finali, 845DC PRO e, ultimo ma non meno importante, 845DC EVO che stiamo analizzando oggi. Nel caso della serie 850 PRO l'aggiornamento più significativo riguarda la NAND Flash usata. Samsung introduce sui suoi dispositivi la nuova tecnologia 3D V-NAND che permette un nuovo livello di affidabilità e resistenza. La serie 845DC EVO è ottimizzata per i sistemi che richiedono una grande quantità di lettura ed è basata su memoria TLC. Questo dispositivo è consigliabile per coloro che effettuano letture intense. 845DC EVO, con la 3D V-NAND è consigliato per ambienti di lettura intensa e per far fronte a carichi di lavoro misti. Ci sarebbe da chiedersi come mai Samsung utilizza memorie TLC con cicli di vita inferiore rispetto alle MLC NAND. Questa scelta deriva dall'ambiente di utilizzo delle unità, ossia in ambienti di lettura intensa dove il ciclo P/E passa in secondo piano.

Come già accennato Samsung consiglia 845DC EVO per sistemi che richiedono lettura intensa, pertanto i valori di lettura sequenziale e casuale sono molto elevati ma la scrittura non è al passo del 845DC PRO. L'unità da 960GB presa in esame oggi assicura un valore di 600 TBW, ossia solo una frazione di quello che è in grado di gestire 845DC PRO. Un'altra caratteristica necessaria alle unità di questo tipo è la protezione dei dati in path in caso di perdita improvvisa di corrente. Samsung utilizza una serie di condensatori al tantalio che assicurano un buffer di 1024MB DDR3 che può essere scritto in maniera sicura.

Per quanto riguarda il controller, troviamo un Samsung MEX ossia la versione aggiornata del vecchio MDX. La frequenza di refresh del nuovo controller è fissata a 400MHz ed utilizza un chip ARM Cortex-R4 con tre core.

Anche il design e le dimensioni del dispositivo sono sempre da tenere a mente. Samsung 845DC EVO è disponibile solo con l'involucro da 2.5" e con una altezza di 7 millimetri. L'interfaccia utilizzata è il SATA 3.1 e siamo molto curiosi di vedere se Samsung rilascerà una versione SAS di questa unità. Questa nostra curiosità deriva dal fatto che moltissimi data center sono basati esclusivamente su SSD SAS.

Pagina 1 - Introduzione	Pagina 7 - Lettura Casuale KByte/s
Pagina 2 - Bundle	Pagina 8 - Scrittura Casuale IOPS
Pagina 3 - Metodologia di test	Pagina 9 - Lettura Casuale IOPS
Pagina 4 - Scrittura Sequenziale KByte/s	Pagina 10 - QD1/4/8/16/32 Performance
Pagina 5 - Lettura Sequenziale KByte/s	Pagina 11 - Conclusioni
Pagina 6 - Scrittura Casuale Kbyte/s