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OCZ Vertex 450 256 GB Review

Published by Marc Büchel on 23.05.13 (12379 reads)
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Mit der Vertex 450 wagt OCZ auch im Falle der Vertex 4 den Schritt in Richtung 20 Nanometer NAND von Intel/Micron. Mit der Vertex 3.20 hat man bereits ein Drive im Angebot, das mit demselben Speicher bestückt ist und nun stattet man auch die performantere Vertex 4 Linie mit diesen Chips aus. Insgesamt kann man gespannt sein was dieses Drive zu leisten im Stande ist und darüber hinaus interessiert es uns brennend wie OCZ den Preis ansetzt, denn unter dem Strich könnte es sich bei der Vertex 450 mit 256 Gigabyte um ein sehr interessantes Laufwerk handeln.




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Spezifikationen / Lieferumfang


Modell OCZ Vertex 450 128 Gigabyte OCZ Vertex 450 256 Gigabyte OCZ Vertex 450 512 Gigabyte
Kapazität 128 Gigabyte 256 Gigabyte 512 Gigabyte
Formfaktor 2.5'', 9.3/7mm 2.5'', 9.3 mm/7mm 2.5'', 9.3 mm/7mm
Speicher Synchrones NAND, 20nm, 3'000 P/E-cycles Synchrones NAND, 20nm, 3'000 P/E-cycles Synchrones NAND, 20nm, 3'000 P/E-cycles
Technologie Intel 29-... Intel 29-F128C08CFABB Intel 29-...
Durchsatz 525 MB/s sequential read
290 MB/s sequential write
75'000 IOPS 4K random read
70'000 IOPS 4K random write
540 MB/s sequential read
525 MB/s sequential write
85'000 IOPS 4K random read
90'000 IOPS 4K random write
540 MB/s sequential read
530 MB/s sequential write
85'000 IOPS 4K random read
90'000 IOPS 4K random write
Zugriffszeit (lesend) < 0.1 ms < 0.1 ms < 0.1 ms
MTBF 2'000'000 Stunden 2'000'000 Stunden 2'000'000 Stunden
Schalldruck lautlos lautlos lautlos
Garantie 3 Jahre 3 Jahre 3 Jahre


Nachdem OCZ die Vector-Serie auf den Markt brachte, wurde die Vertex-Serie als performanteste Linie des Herstellers abgelöst. Mittlerweile will OCZ mit der Vertex 450 einen knackigen Preispunkt treffen und darüber hinaus Leistung satt bieten. Hinzu kommt, dass der Hersteller seit geraumer Zeit verstärkt mit der Zuverlässigkeit seiner Drives wirbt. Bezüglich des hier vorliegen Drives gibt OCZ an, dass während des Garantiezeitraums problemlos 20 Gigabyte pro Tag geschrieben werden können, ohne dass Probleme auftreten.



OCZ setzt bei der Vertex 450 auf den hauseigenen Barefoot 3 M10 Controller. Anhand des Block-Diagrams sieht man, dass die Basis des Controllers ein ARM Cortex Prozessor ist. Hinzu kommt, dass OCZ anlässlich der Vertex 450 den Clock Generator hinsichtlich Stromverbrauch optimiert hat. In anderen Worten heisst das natürlich, dass die Taktraten leicht gesenkt wurden, damit das Drive energieeffizienter seinen Dienst verrichtet. Ferner bekommt man zu sehen, dass OCZ mit diesem Drive standardmässig eine AES 256 Bit Verschlüsselung bietet sowie eine ECC Fehlerkorrektur. Darüber hinaus gibt es einen DRAM Cache, der dabei hilft die Performance noch etwas zu steigern. Das NAND-Flash-Speicher-Array bindet OCZ bei diesem Laufwerk über ein ONFI/Toggle Interface an.

Wie bei der Vertex 3.20 setzt OCZ nun auch bei der Vertex 450 auf NAND-Flash-Speicher der über 20 Nanometer breite Strukturen verfügt. Auch OCZ hat mittlerweile den Schritt hin zu MLC NAND von Intel/Micron gewagt, das im 20-Nanometer-Verfahren hergestellt wird. Als Vergleich dazu: Bei der Vertex 4 kam NAND mit 25 Nanometer breiten Sturkturen zum Einsatz. Ein Shrink, sprich eine Verkleinerung des Herstellungsprozesses bringt immer einen Vorteil sowie einen Nachteil mit sich. Der Vorteil liegt darin, dass man aus einem 300-Millimeter-Wafter mehr funktionierende Chips gewinnen kann und die Produktion insgesamt kosteneffizienter wird. Diese gesteigerte Kosteneffizienz erreicht letztlich auf verhältnismässig direktem Wege den Endkunden, in Form von Preisreduktionen. Den Nachteil findet man schliesslich bei der maximalen Anzahl P/E-Zyklen (Program/Erase-Cycles), sprich die Anzahl, wieviele Mal das NAND wiederbeschrieben werden kann. Je nach Typ, fand man bei den 25-Nanometer-NAND-Flash-Speicherchips 5'000 oder 3'000 P/E-Zyklen. Führt man sich die Spezifikationen des Intel 29-F128C08CFABB-Speichers zu Gemüte, dann findet sieht man, dass dieser neue 20-Nanometer-Speicher 3'000 P/E-Zyklen überstehen soll.


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