Samsung 845DC EVO SSD 960 Gigabyte Review

Published by Marc Büchel on 28.07.14
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Neben der 845DC PRO Serie hat Samsung auch die 845DC EVO Serie vorgestellt. Die dieser Modellreihe angehörenden Laufwerke sind mit TLC-Speicher bestückt. Dementsprechend empfiehlt der Hersteller den Einsatz in lese-intensiven Umgebungen um möglichst sorgfältig mit Schreibzyklen umzugehen. Dank der Verwendung von TLC-Speicher ist Samsung aber auch in der Lage, den Preis für diese Laufwerke extrem tief anzusetzen. Insgesamt sind wir gespannt wie dieses Laufwerk sich durch unser Review schlägt.



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Spezifikationen / Lieferumfang


Modell 845DC EVO 240 GB 845DC EVO 400 GB 845DC EVO 960 GB
Kapazität 240 GB 400 GB 960 GB
Formfaktor 2.5'' 2.5'' 2.5''
Controller Samsung 3-core MDX   Samsung 3-core MDX
Speicher
  • MLC NAND
  • 3D V-NAND 2bit
 
  • MLC NAND
  • 3D V-NAND 2bit
Durchsatz
  • 530 MB/s sequential read
  • 270 MB/s sequential write
  • 87'000 IOPS 4K random read
  • 12 '000 IOPS 4K random write
  • 530 MB/s sequential read
  • 410 MB/s sequential write
  • 87'000 IOPS 4K random read
  • 14 '000 IOPS 4K random write
  • 530 MB/s sequential read
  • 410 MB/s sequential write
  • 87'000 IOPS 4K random read
  • 14 '000 IOPS 4K random write
QOS 4KB, QD32 (99.99%)
  • 0.6 ms read
  • 7.0 ms write
 
  • 0.6 ms read
  • 5.0 ms write
Latency
  • 55 us sequential read
  • 45 us sequential write
  • 115 us random read
  • 55 us random write
  • 55 us sequential read
  • 45 us sequential write
  • 115 us random read
  • 55 us random write
  • 55 us sequential read
  • 45 us sequential write
  • 115 us random read
  • 55 us random write
Stromverbrauch
  • 2.7 Watt read
  • 3.8 Watt write
  • 1.2 Watt idle
  • 2.7 Watt read
  • 3.8 Watt write
  • 1.2 Watt idle
  • 2.7 Watt read
  • 3.8 Watt write
  • 1.2 Watt idle
Temperatur
  • Operating: 0°C bis 60°C
  • Non-Operating: -40°C bis 85°C
  • Operating: 0°C bis 60°C
  • Non-Operating: -40°C bis 85°C
  • Operating: 0°C bis 60°C
  • Non-Operating: -40°C bis 85°C
Lebensdauer 150 TBW 300 TBW 600 TBW
Garantie 5 Jahre 5 Jahre 5 Jahre
Preis

249.99 US-Dollar

489.99 US-Dollar

969.99 US-Dollar




Vor kurzem kündigte Samsung die drei neue SSD-Serien an, wobei es sich zum einen um die 850 PRO für Endkonsumenten handelte sowie die 845DC PRO und die hier vorliegende 845DC EVO. Die wichtigste Neuerung im Zusammenhang mit der 850 PRO betrifft die Verwendung von 3D V-NAND. Im Vergleich dazu setzt man bei der 845DC EVO auf TLC-NAND, wie man es auch im Consumer-Part 840 EVO findet. Hält man sich an dieser Stelle vor Augen, dass TLC-NAND über einen vergleichsweise P/E-Cycle-Count verfügt, dann kann man sich berechtigterweise fragen, was dieser Speicher in Enterprise-Umgebungen verloren hat. Samsung bietet mit der 845 EVO ein Laufwerk für Unternehmenskunden, das vor allem in lese-intensiven Umgebungen zum Einsatz kommen soll, sprich die verfügbaren Schreibzyklen spielen in diesem Zusammenahng eine sekundäre, wenn nicht sogar tertiäre Rolle.

Führen wir uns die 845DC EVO, sprich die 960-Gigabyte-Version, genuer zu Gemüte, dann sehen wir beispielsweise, dass Samsung dieses Laufwerk für lese-intensive Umgebungen empfiehlt. Das kommt daher, dass die Performance vor allem beim sequenziellen sowie zufälligen Lesen konsistent hoch ist. Führt man sich die anliegende Schreibleistung zu Gemüte, dann kann diese vor allem bei den zufälligen Zugriffen nicht mithalten. Vor allem bei SSDs für schreib-intensive Umgebungen kritisch ist die Lebensdauer, die derzeit entweder in Terabyte Writte (TBW) oder Drive Writes per Day (DPWD) angegeben wird. Das hier vorliegende 960-Gigabyte-Laufwerk spezifiziert Samsung auf 600 TBW, was im Vergleich, mit der vor einer Woche getesteten 845DC PRO lediglich ein Bruchteil ist. Wie bereits erwähnt, handlet es sich bei der 845DC EVO um ein Laufwerk für lese-intensive Umgebungen, wodurch den TBW-Angaben nicht die aller höchste Priorität beigemessen werden muss. Bei Enterprise-Laufwerken muss zudem auch der Schutz des Datenpfades im Falle eines Stromausfalls gewährleistet werden. Zu diesem Zweck findet man einen Satz Tantalum-Kondensatoren, wodurch sichergestellt werden kann, dass Daten die sich noch im 1024 Megabyte grossen, volatilen DDR3-Cache befinden, in den non-volatilen NAND-Flash-Speicher geschrieben werden können, wodurch möglichen Datenverlusten vorgebeugt wird.

Machen wir uns auf die Suche nach dem Controller, dann finden wir den Samsung MEX. Im Verlgiech zum MDX-Controller, der bei der 845DC PRO zum Einsatz kommt, taktet dieses Modell mit 400 MHz, 100 MHz schneller als der Vorgänger. Hinsichtlich der Architektur findet man auch an dieser Stelle wieder einen ARM Coretex-R4 Chip, der über drei Kerne verfügt.

Samsung bietet die 845DC EVO ausschliesslich im 2.5-Zoll-Gehäuse mit 7 Millimeter Bauhöhe an. Im Falle des Interface setzt der Elektronikgigant auf SATA 3.1. Derzeit sind wir gespannt ob es zu einem späteren Zeitpunkt auf noch eine Ausführung mit SAS-Interface geben wird, denn dieses fehlt derzeit noch.

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